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濺射儀SC-701MkII的特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2024-04-13 點(diǎn)擊量:170

濺射儀SC-701MkII的特點(diǎn)

濺射的歷史

  1. 1852年,英國科學(xué)家格羅夫發(fā)現了飛濺現象。此時(shí),減少成為放電管污染原因的飛濺就變得非常重要。格羅夫因第一個(gè)進(jìn)行燃料電池實(shí)驗而聞名。

  2. 第二次世界大戰期間,光學(xué)元件增透膜的需求增加,真空設備也得到改進(jìn)。

  3. 20世紀60年代以后,濺射薄膜沉積技術(shù)主要在美國開(kāi)始使用。(第一臺商用電子顯微鏡于 1965 年問(wèn)世。)

  4. 在成膜技術(shù)之前,濺射現象被用作離子泵。(通過(guò)濺射將氣體分子帶入電極以獲得更高的真空。)

飛濺的起源

這是一個(gè)擬聲詞,但為什么用這個(gè)詞來(lái)形容真空中發(fā)生的現象呢?

  1. 據說(shuō)“濺射"是描述這種現象的第一個(gè)詞。它的意思是發(fā)出“吐"或“咳嗽"等聲音,并傳播某物或發(fā)出該聲音。有些詞典也說(shuō)“發(fā)出咕嚕聲",很多地方用它作為飛濺的意思。

  2. 目前英語(yǔ)中使用的 [ sputter ] 是 splutter 的同義詞。

  3. 濺射[濺射]是[濺射]目前的漸進(jìn)形式。雖然它用作名詞“濺射",但 [ sputter ] 也用作名詞。

  4. 圖像是目標散布著(zhù)小爆發(fā)。

成膜方法的分類(lèi)

濺射和真空蒸鍍是利用物理現象的成膜方法,但也有利用化學(xué)反應的CVD。

  1. CVD [Chemical Vapor Deposition] 化學(xué)氣相沉積法。這是一種將樣品置于氣態(tài)原料氣氛中,通過(guò)化學(xué)反應在樣品表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是眾所知的,但也使用金屬和有機聚合物。特點(diǎn)是可以形成高純度的薄膜。

  2. 另一方面,真空蒸鍍和濺射被稱(chēng)為PVD(物理氣相沉積)。當原料顆粒通過(guò)蒸發(fā)或濺射附著(zhù)在樣品上時(shí)形成薄膜,不涉及化學(xué)反應。

濺射鍍膜的特點(diǎn)

該成膜方法具有以下特征。

  1. 作為薄膜原料的顆粒具有很大的能量,對樣品有很強的附著(zhù)力。創(chuàng )造出強大的電影

  2. 可以在不改變合金和化合物等原材料的組成比的情況下形成膜。

  3. 即使是氣相沉積難以實(shí)現的高熔點(diǎn)材料也可以成膜。

  4. 只需改變時(shí)間即可高精度控制膜厚。

  5. 通過(guò)引入反應氣體,還可以形成氧化物和氮化物膜。6:能夠在大面積上均勻地形成膜。

  6. 可以通過(guò)將樣品放置在目標位置來(lái)進(jìn)行蝕刻。

  7. 成膜速度一般較慢(因方法而異)



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