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半導體制造車(chē)間對溫濕度的控制及露點(diǎn)設備推薦
在半導體制造中,水一直是影響較大的污染物之一,統計顯示,不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%。為避免產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量出現問(wèn)題,在半導體制造過(guò)程中必須尤為謹慎地監測濕度和溫度水平。如濕度是硅晶圓生產(chǎn)過(guò)程中關(guān)鍵的因素,如果空氣太干燥,靜電就會(huì )成為問(wèn)題。
半導體、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區域保持非常精確的條件。用于半導體組裝或加工的元件通常具有吸濕性,因此極易受到高濕度條件的影響。
吸濕成分可以導致:
電路點(diǎn)腐蝕
半導體組裝的操作故障
光刻膠附著(zhù)力不當
微芯片電路表面結露。
組裝領(lǐng)域:在半導體和集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中,過(guò)多的水分會(huì )對鍵合過(guò)程產(chǎn)生不利影響并增加缺陷。稱(chēng)為光致抗蝕劑的光敏聚合物化合物用于掩蓋蝕刻過(guò)程中的電路線(xiàn)。由于它們的吸濕性,它們會(huì )吸收水分,導致微觀(guān)電路線(xiàn)被切斷或橋接,從而導致電路故障。
晶圓制造區域:在晶圓制造過(guò)程中,旋轉器將顯影劑噴射到晶圓表面,使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā),從而冷卻晶圓表面。這導致空氣中的水蒸氣凝結在晶片表面上。晶圓上多余的水會(huì )導致顯影劑的特性發(fā)生變化??刮g劑還會(huì )吸收水分,導致聚合物膨脹。將相對濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周?chē)諝饴饵c(diǎn)以下的可能性,從而防止故障和損壞。
光刻室:光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間,溫度約為 700°F。過(guò)多的水分會(huì )導致二氧化硅吸收水分,導致光刻膠粘附不當,從而導致應力斷裂和表面缺陷。
真空抽氣速度更快:如果濕度較高,低溫泵等真空設備的運行會(huì )因水蒸氣負荷較大而減慢。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右,則可大大降低,從而提高批處理速度。。
TK-100 在線(xiàn)露點(diǎn)儀的傳感器,采用的是 靜電容量式原理。
當水分子被夾在兩個(gè)導電層之間的多孔絕緣層 吸收時(shí),上導電層與下導電層之間的電容將會(huì ) 產(chǎn)生變化。
該電容量通過(guò)傳感器內部電路被線(xiàn)性的轉換為露點(diǎn) 的模擬信號。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下,上層導電金屬層厚度為 0.1 μm 以下,即使少量 水分的吸附也可迅速反應。
擁有如此薄度的同時(shí),傳感器仍保持優(yōu)秀的強韌及耐久性。
■ 靜電容式露點(diǎn)儀
■ 測量范圍:-100~20℃dp
■ 精度:±2℃dp
■ 短交貨期
采用先進(jìn)的傳感器技術(shù)
應用:半導體、液晶、電池、電子行業(yè)