SEM 樣品金屬涂層設備MSP-1S的特點(diǎn)

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當中使用廣泛的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,廣東振華科技真空磁控濺射鍍膜工藝現已廣泛用于大面積基材的鍍膜當中.該工藝不僅用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜、貼膜等膜層鍍制。

磁控濺射工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來(lái)沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點(diǎn):

1、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類(lèi)工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應用。

2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內。

3、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

4、基片溫度低.可利用陽(yáng)極導走放電時(shí)產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來(lái)完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。

5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場(chǎng)不均所導致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過(guò)一定手段將磁場(chǎng)分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動(dòng),也可提高靶材利用率。

6、復合靶.可制作復合靶鍍合金膜,目前,采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復合靶的結構有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結構的使用效果為佳。

7、應用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見(jiàn)的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。

●用一個(gè)按鈕自動(dòng)涂層。沒(méi)有任何繁瑣的操作。

● φ標準裝備50mm Au-pd目標。（購買(mǎi)主機時(shí)可變更為可選目標。）

●采用低施加電壓下減輕離子損傷的磁控管方式。

●因為體積小、重量輕，所以不選擇設置場(chǎng)所。

●在SEM的預處理中發(fā)揮實(shí)力。