什么是TLP測試？

1. TLP 的目的

TLP是Transmission Line Pulse的縮寫(xiě)，當釋放同軸電纜中存儲的電荷時(shí)，得到方波。
這個(gè)特性可以用來(lái)研究IC的保護電路特性。
重要的一點(diǎn)是方波的上升時(shí)間。保護電路的特性隨上升時(shí)間的變化而變化。因此，重要的是上升時(shí)間可以從高速變?yōu)榈退僮鳛樵撈骷囊粋€(gè)點(diǎn)。作為目標上升，希望實(shí)現快于 200ps 的高速上升。

2. TLP理論

TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法主要有三種。
(1) TDR (Time Domain Refraction)
    使用 DUT 反射波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
    檢查通過(guò) DUT 的波形的方法(3)     TDTR
(Time Domain Transmission and Refraction)

圖 1 顯示了 TDR 方法。

電壓波形通過(guò)直接在放電路徑上連接示波器來(lái)確認，電流波形通過(guò)在放電路徑上插入電流探頭來(lái)確認。
在 TDT 方法中，圖 1 中示波器和 DUT 的位置是相反的。
在 TLP 測試中，上升時(shí)間可以通過(guò)使用濾波器來(lái)改變，但脈沖寬度取決于用于充電的同軸電纜的長(cháng)度。

圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。

T = 2 L1 / VT 為脈沖寬度（ns），L1 為同軸電纜長(cháng)度（mm）

　　　　　　V = 2.0 × 10 ^ 8m / s (例) 當 L1 = 20 (m) T = 200 (ns)

圖 3 顯示了當它入射到 DUT 并*消耗時(shí)的波形，這可以用圖 2 中的電壓表（示波器）來(lái)確認。
考慮 L2 長(cháng) 10 mm 且 DUT 短的情況，分別確認入射波和反射波時(shí)的波形如圖 4 左圖所示。

可以用電壓表確認的波形如圖 4 右側所示。

同樣，可以用電流表（電流探頭）確認的波形如圖 5 右側所示。

3. 相關(guān)產(chǎn)品介紹

1.HED-T5000/HED-T5000VF

配備先進(jìn)的測試模式。我們有一個(gè)施加脈沖寬度為 100 ns / 200 ns 的正常測試和一個(gè)施加寬度減小到 1 ns 的 VFTLP（極快 TLP）測試模式。
它可用于驗證具有 ESD 電阻的 HBM / CDM 測試。您可以使用標準示波器檢查器件引腳的入射波和器件引腳的反射波。
該數據被保存并顯示在專(zhuān)用監視器上。入射/反射波的總值、回彈特性、Vf/Im測量的泄漏測量值等可以在專(zhuān)用監視器上追蹤。
從示波器保存的數據允許在算術(shù)處理中具有高度的自由度。例如，您可以通過(guò)在工藝發(fā)生變化的晶體管的導通電壓和可以通過(guò)保護電路的最大電流值上疊加跡線(xiàn)來(lái)檢查差異。
它還可以連接到半自動(dòng)探測器以自動(dòng)執行 TLP 測試。
測試效率大大提高，因為晶圓上應用的引腳和芯片之間的自動(dòng)移位和自動(dòng)測量是可能的。

1.HED-T5000-HC

目前，對高集成度、高頻率和高耐壓器件的需求日益增加。
該設備可以測量傳統TLP無(wú)法覆蓋的高壓和大電流特性，可用于獲取和分析高壓元件的運行參數。