日本napson手持式探針的手動(dòng)無(wú)損（渦流法）電阻測量?jì)xEC-80P

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
• 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
• 使用JOG撥盤(pán)輕松設置測量條件
• 連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
• （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

測量規格

測量目標

半導體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線(xiàn)等）
導電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類(lèi)型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類(lèi)型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）