日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品型號： HF-300

所屬分類(lèi)：

產(chǎn)品時(shí)間：2020-09-18

簡(jiǎn)要描述：日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命
非接觸/無(wú)損壽命測量
與單晶和多晶硅樣品兼容
支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
包含激情膠囊（用于威化餅）

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日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 非接觸/無(wú)損壽命測量
• 與單晶和多晶硅樣品兼容
• 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
• 包含激情膠囊（用于威化餅）

測量規格

測量目標

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測量激光單元>類(lèi)型：半導體激光二極管，
波長(cháng)：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 非接觸/無(wú)損壽命測量
• 與單晶和多晶硅樣品兼容
• 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
• 包含激情膠囊（用于威化餅）

測量規格

測量目標

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測量激光單元>類(lèi)型：半導體激光二極管，
波長(cháng)：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS