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shinkuu濺射設備、磁控濺射原理介紹

發(fā)布時(shí)間:2022-10-25 點(diǎn)擊量:836

shinkuu濺射設備、磁控濺射原理介紹

什么是飛濺

飛濺是一個(gè)表達小粒子如何分散的詞。
“濺射"是詞源,代表散射的象聲詞。
如果你想象一下談話(huà)
時(shí)唾液的飛濺,或者弧焊時(shí)飛濺的火花,就會(huì )更容易理解。

什么是濺射

真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標金屬,使目標金屬的顆粒飛離并沉積在物體上。
本頁(yè)簡(jiǎn)要介紹了我們產(chǎn)品中主要使用的磁控濺射原理,以及其他具有代表性的濺射方法。


磁控濺射原理

散射粒子的濺射技術(shù)有多種,但我們的濺射設備采用磁控濺射技術(shù),濺射效率高。

其原理是首先在真空中產(chǎn)生等離子體。
等離子體是一種不穩定狀態(tài),其中帶正電的氣體離子原子(正離子)和帶負電的自由電子自由循環(huán)。由于放置在目標后面的磁鐵的力量,它被密集地捕獲在磁場(chǎng)中。在這個(gè)磁場(chǎng)中四處移動(dòng)的正離子與目標表面的負電位發(fā)生碰撞。
被彈飛(濺射)的目標金屬顆粒將飛向樣品。即通過(guò)利用磁鐵的力量,可以以較少的電力高效地產(chǎn)生等離子體,正離子聚集在磁場(chǎng)強的地方反復碰撞,成為濺射效率高的成膜方法。

磁控濺射法的特點(diǎn)

  • 由于高密度等離子體區域與樣品臺分開(kāi),因此對樣品的損壞很小。

  • 高沉積率

  • 目標利用率低。在高等離子體密度下消耗更多

  • 目標僅限于導電金屬和合金

磁控濺射設備配置圖

什么是 2 極濺射?

它被認為是直流濺射的原型,也被稱(chēng)為平行板型。
以靶材為負極,樣品側為正極,施加電壓以產(chǎn)生等離子體并從靶材噴出金屬顆粒。
雖然結構簡(jiǎn)單,但產(chǎn)生等離子體需要大量的氣體和電壓,因此引入的氣體會(huì )干擾成膜效率。此外,由于負電子流入樣品,溫度升高,樣品損壞。

2極濺射法的特點(diǎn)

  • 結構簡(jiǎn)單

  • 產(chǎn)生等離子體需要大量能量

  • 負離子流入正極,對樣品造成很大的破壞。

  • 目標僅限于導電金屬和合金

兩極濺射裝置配置圖

什么是 RF(射頻)濺射?

可以濺射絕緣體。
由高頻電源經(jīng)由匹配箱(matching box)向電極供電。產(chǎn)生等離子體時(shí),正離子和負離子通過(guò)高頻振動(dòng),流向靶側和樣品側。負離子傾向于流向導電面積大的樣品側,結果,樣品側變成正極,絕緣靶側被負偏壓。正離子轟擊負偏壓的靶材,濺射絕緣體。

射頻濺射法的特點(diǎn)

  • 絕緣體濺射是可能的。

  • 與直流濺射相比,速率更低,對樣品的損傷更大。

  • 高頻電源價(jià)格昂貴且復雜,通常使用工業(yè)分配的頻率(13.56 MHz)。

  • 無(wú)電極感應放電也是可能的。

RF(射頻)濺射設備配置圖

相關(guān)產(chǎn)品介紹

設備特征目標金屬
MSP-mini
超小型濺射設備
適用于光學(xué)顯微鏡,適合用于制作有光澤的銀膜,以及用于 SEM 和臺式 SEM 的預處理。
MSP-1S
是一種帶有內置泵的緊湊型濺射系統。
還可用于濺射鉑靶材,可用于高達約50,000倍的高倍率觀(guān)察。

MSP20 系列以高功能和簡(jiǎn)單操作的概念開(kāi)發(fā)。具備調整功能、自動(dòng)排氣順序、聯(lián)鎖功能等各種需求的性能陣容。各有特點(diǎn),UM是樣品旋轉機構,MT是4英寸靶材,TK是鎢濺射能力。

設備特征目標金屬
MSP-20UM
功能*可調,適用于各種應用。設置條件后,可以使用全自動(dòng)按鈕進(jìn)行自動(dòng)沉積。
可選傾斜旋轉樣品臺。提高車(chē)削性能。
配備氬氣導入,可以鍍上更高純度的貴金屬薄膜。
聯(lián)鎖和安全機構也是重要的濺射設備。
MSP-20MT
這是4英寸晶圓的濺射系統,配備φ100mm尺寸的靶電極。
該設備概念基于 MSP-20,可對更廣泛的樣品進(jìn)行涂層。

該設備專(zhuān)為MSP-20TK鎢濺射而開(kāi)發(fā)。它也可用于超高分辨率 SEM 觀(guān)察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。
氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升高。

這是一種特殊的濺射設備,支持在半導體制造過(guò)程中對大面積晶片進(jìn)行濺射。提供 8 英寸和 12 英寸兩種尺寸。

設備特征目標金屬

采用磁控靶電極實(shí)現了直徑為200 mm的大面積樣品臺,以滿(mǎn)足更大尺寸的MSP-8in硅襯底的需求。更大的樣品臺可以同時(shí)鍍膜 8 英寸晶圓和多個(gè) SEM 樣品,從而提高檢測工作的效率。

采用磁控靶電極實(shí)現了直徑為300 mm的大面積樣品臺,以滿(mǎn)足更大尺寸的MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時(shí)鍍膜 12 英寸晶圓和多個(gè) SEM 樣品,提高檢測工作效率。

這是一款能夠濺射各種金屬的型號,包括備受關(guān)注的鎢。它用于廣泛的領(lǐng)域,從表面觀(guān)察到實(shí)驗應用。高潔凈度的真空區域對于制作的樣品是不可少的。MSP-40T 可通過(guò)渦輪泵排氣在真空區域進(jìn)行濺射。

設備特征目標金屬
MSP-40T
多用途實(shí)驗沉積系統。新型號配備全自動(dòng)沉積功能。
高效沉積,高速排氣,操作簡(jiǎn)單。使用強磁場(chǎng)可以形成多金屬膜。
使用渦輪泵和隔膜泵可實(shí)現清潔的高真空。是一款價(jià)格低廉、性?xún)r(jià)比高的設備。
沉積靶材:Au、Ag、Pt、Au-Pd、Pd、Cu、Cr、Pt-Pd、Ni、Fe、W、Mo、Ta、Ti、Al、ITO等。
可以濺射各種金屬靶材。


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